>  科技 频道

【简讯】AMD会同一天发布Zen 3和RDNA 2;华为P40系列国行版4月8日登场…

华为P40系列国行版4月8日登场

华为P40系列将于3月26日正式发布,这是华为今年举行的首场旗舰发布会。据媒体报道,P40系列全球发布会结束后,华为将在4月8日举办一场国行发布会,届时会公布国行版价格。

从网上曝光的信息来看,P40系列包含P40、P40 Pro和P40 Pro Plus三款。

其中P40采用直屏,P40 Pro、P40 Pro Plus采用OLED四曲面屏幕,屏幕尺寸为6.7英寸,刷新率为120Hz。

核心配置上,P40系列将搭载麒麟990 5G SOC,最高或将配备12GB内存 512GB存储,支持40W超级快充。

作为P系列的最强旗舰,影像是该机的一大看点。报道称P40、P40 Pro和P40 Pro Plus三款将分别后置三摄、四摄和五摄相机模组。

其中P40 Pro Plus拥有迄今为止华为最强大的影像系统,它搭载5200万像素RYYB超感光主摄 4000万像素电影镜头组成的双主摄,同时配备了一颗2000万双棱镜潜望式长焦镜头(支持高达10倍光学变焦),一颗800万常规长焦镜头以及一颗TOF镜头。

值得注意的是,P40系列有望搭载完整的HMS,这将是华为首款拥有完整HMS、面向欧洲市场的高端旗舰。iOS 14新功能曝光

从目前相继曝光的情况看,iOS 14会带来不少细节上的完善,而苹果的出发点也是如此。据外媒最新报道称,iOS 14 中的“查找”App 将增加全新的AR模式以及基于地点的提醒,这对于那些爱遗忘设备的果粉来说,无疑是个更加贴切的消息。

据悉,iOS 14 将为“查找”App增加全新高级提醒功能。当某人在约定时间没有到达某个特定的位置是,查找App会提醒。目前,查找App只能在某人到达某个特定位置时提醒。没有到达提醒功能对于家长查看孩子位置时,比较实用。

此外,当某人离开某地时,也可以设置提醒,同样可以方便家长接孩子,其还支持AR模式,用户可以在AR模式下获得准确的位置

根据iOS 14代码,未来iOS地图App将显示更多Apple Store信息。目前,在地图App中查看Apple Store,只能显示地址、电话、照片和Today at Apple活动。在iOS 14中,地图App可以查看Apple Store天才吧服务情况,比如可以查询某家Apple Store天才吧是否可以更换屏幕或电池等。

据悉,苹果正在开发全新的iOS主屏,具体来说就是在iOS 14中新增页面,允许用户通过列表查看自己的应用。目前,我们只能通过图标,也就是网格方式查看iOS应用,或者通过搜索。全新的列表模式会显示所有应用的图标,名称等信息。AMD会同一天发布Zen 3和RDNA 2

在今年的财务分析日上,AMD公布了他们的Zen 3架构CPU与RDNA 2架构显卡,他们最终将成为代号Vermeer的Ryzen 4000系列处理器和Navi 2x核心的Radeon RX显卡,预计它们会在今年10月份推出。

根据wccftech的消息,这些Ryzen 4000处理器和新的Radeon RX显卡显卡会在上市前的某个时间点开发布会,预计可能8月份或者9月份,CPU和GPU会同时发布。AMD希望在同一天同时发布两个高阶的CPU和GPU,以便曝光其下一代产品的性能。

目前对于AMD的新CPU和GPU架构所知并不多,Zen 3依然会使用台积电7nm工艺,至于用n7 还是n7p目前还没有定论,CCX可能从一组4个核心增加到一组8个,L3缓存也从两块独立的16MB糅合成一块32MB的。

RDNA 2的改进点有三个:提高每瓦效能;加入光线追踪支持;加入可变速率着色支持。预计,相对于RDNA,RDNA 2架构将会继续提升50%的每瓦效能。三星挖孔新机曝光

三星M系列是三星Galaxy产品线中的中低端系列,该系列最新产品Galaxy M51的渲染图于近日曝光,预示着M系列下一款新机可能即将来临。

从渲染图上看,Galaxy M51正面搭载了一块流行的挖孔全面屏,挖孔位于机身左上角,背部则是矩形三摄,外加背部指纹识别,有3.5mm耳机孔,Type-C接口,而且看起来像是塑料机身。

规格上,Galaxy M51可能会搭载骁龙730处理器,内置6GB内存,128GB存储,屏幕大小6.3英寸,FHD 分辨率,背部相机为4800万像素 800万像素 500万像素三摄,前置为1600万像素单摄。

此外还有4000mAh电池,SD卡扩展,双卡双待等功能。

当然,三星尚未公布Galaxy M51的任何细节,所以上述参数有可能会发生变化,总的来说,Galaxy M51应该是一款标准的中低端机型,售价大致会在2000元左右。中芯国际年底量产7nm工艺?官方道出真相

日前,中芯国际联席CEO梁孟松博士首次公开了中芯国际N 1、N 2代工艺的情况,透露N 1工艺相比于14nm性能提升20%、功耗降低57%、逻辑面积缩小63%,SoC面积缩小55%,之后的N 2工艺性能和成本都更高一些。

业界普遍认为,中芯国际N 1工艺相当于台积电第一代7nm工艺,N 2则相当于台积电7nm ,重点在提升性能,年底即可量产。

今天,中芯国际相关人士详细解释了N 1工艺,也澄清了一些误会。

首先需要强调的是,N 1是中芯国际的内部代号,并不等于7nm。

据介绍,中芯国际N 1工艺在去年第四季度完成流片,目前正处于客户产品验证阶段,预计第四季度有限量产。

与市场上的7nm相比,中芯国际N 1在功耗、稳定性方面非常相似,唯一的区别就是性能,N 1的性能比14nm提高了约20%,但市场基准提升幅度是35%,所以有差距,但这也是唯一的差距。

如果是从功耗、稳定性方面而言,可以将中芯国际N 1称为7nm,而在性能方面确实要比7nm差。

中芯国际对N 1的目标是低成本应用,可以将成本相对市场上的7nm减少大约10%,因此是一个非常特殊的工艺节点。

从中芯国际的表态看,N 1更类似于台积电、三星的10nm,或者有点像三星的8nm,因为20%的性能提升幅度远低于台积电预计的30%、实际的35%。

至于N 2工艺,与市场7nm更为接近,尤其是稳定性,但是性能仍然略逊一筹。

另外随着台积电、三星陆续导入EUV极紫外光刻,中芯国际也在加速推进,但是梁孟松曾明确表示,中芯国际无需EUV就能达成7nm,当然后续的5nm、3nm是必须要有EUV的。

返回顶部